Samsung Electronics после внутреннего рассмотрения приняла требование Nvidia использовать в NVHBM базовый кристалл, изготовленный TSMC по 3-нм техпроцессу. Об этом 18 октября сообщила Seoul Economic Daily со ссылкой на отраслевые источники; совместного объявления компаний пока нет.

Nvidia попросила о той же схеме SK hynix и Micron, а ядра памяти — перевести на шестое поколение DRAM-процесса 1c. Единая логическая основа должна сократить отдельную проверку каждого поставщика и позволит Nvidia легче распределять заказы между тремя производителями памяти. Цена такой взаимозаменяемости — концентрация ещё одного ключевого слоя у TSMC.

NVHBM устроена иначе, чем обычная HBM: контроллер памяти переносится с вычислительного кристалла XPU в нижний базовый кристалл. По данным самой Nvidia, это может дать до 30% больше пропускной способности, снизить энергопотребление HBM на 15% и освободить до 25% площади XPU. Это характеристики объявленной архитектуры, а не результат независимых испытаний готовых серийных чипов.

Samsung не отказывается от собственной вертикальной цепочки целиком. Для стандартных HBM4 и HBM4E, а также заказных решений для других клиентов компания намерена сохранять свои базовые кристаллы; параллельно она проверяет, сможет ли её контрактное производство выпускать базовый кристалл NVHBM, если мощностей TSMC не хватит. Новая схема относится именно к памяти Nvidia — и превращает давнего конкурента Samsung в общий производственный узел для всех трёх поставщиков.