Infineon сообщила 9 ноября, что изготовила работающие силовые полупроводниковые компоненты на пластинах карбида кремния диаметром 300 мм. Процесс опробовали на фабрике в австрийском Филлахе, используя существующее оборудование для кремниевых чипов. Компания называет это первым таким результатом в условиях полноценной полупроводниковой фабрики.

Карбид кремния, или SiC, применяют в преобразователях питания электромобилей, зарядных станций и дата-центров: материал позволяет работать с высокими напряжениями и уменьшать потери энергии. По оценке Infineon, на 300-мм пластине помещается в 2,3 раза больше чипов, чем на 200-мм. Это возможность получать больше компонентов за один цикл обработки, а не доказанное снижение их цены в той же пропорции.

Получение работающих устройств ещё не означает начала массового выпуска. Infineon продолжает программу производства на 200-мм пластинах, а сроки перехода на 300 мм собирается определять вместе с заказчиками. Выход годных кристаллов, объём выпуска и себестоимость нового процесса в сообщении не раскрыты.

Это отдельное направление от ранее объявленной линии GaN на той же площадке. Для нитрида галлия Infineon уже назвала инвестиции около €1,1 млрд и начало высокосерийного производства к концу 2027 года. Переносить этот срок на карбид кремния нельзя: нынешний результат подтверждает работоспособность процесса SiC, а не готовность серийной линии.