Infineon объявила, что вложит около €1,1 млрд в высокосерийное производство силовых полупроводников из нитрида галлия на 300-мм пластинах. Линию развернут в существующих чистых помещениях завода в австрийском Филлахе, инвестиции рассчитаны до 2034 года, а выпуск планируют начать к концу 2027-го. Компания называет площадку первым в мире массовым производством силовых GaN-чипов такого формата; о проекте также сообщило Reuters.

Сам переход на 300-мм пластины Infineon показала ещё в 2024 году на опытной линии. Новое событие — решение перенести технологию в промышленное производство для клиентов и закреплённый бюджет проекта. По расчётам компании, одна 300-мм пластина вмещает в 2,3 раза больше чипов, чем 200-мм; это показатель выхода кристаллов с пластины, а не обещание увеличить общую мощность завода в 2,3 раза.

GaN-компоненты переключают и преобразуют электричество с меньшими потерями и нагревом, чем традиционные кремниевые решения. Infineon рассчитывает на спрос со стороны блоков питания для дата-центров, энергетической инфраструктуры, электромобилей, робототехники и потребительской электроники. ИИ здесь выступает одним из рынков применения, а главный новый факт — промышленное масштабирование производства силовой электроники.

Еврокомиссия одобрила для проекта австрийскую субсидию до €319 млн по Европейскому акту о чипах, однако формальное решение австрийского министерства ещё ожидается. Infineon не раскрыла проектную мощность линии и число новых рабочих мест; темп наращивания выпуска компания прямо связывает с рыночным спросом.