По данным двух собеседников Reuters, китайская ChangXin Memory Technologies уже отправила образцы HBM3E нескольким местным разработчикам ускорителей и рассчитывает начать ограниченный выпуск в ближайшие два месяца. Планы не объявлены публично, а сама CXMT не ответила агентству на запрос о комментарии.

HBM собирают из вертикально соединённых кристаллов памяти: такая конструкция быстро передаёт большие объёмы данных процессорам. Сейчас требованиям соответствуют лишь 20–30% чипов CXMT, утверждают источники Reuters. Для сравнения, у лидера рынка SK Hynix этот показатель составляет около 70%. Низкий выход годных кристаллов повышает себестоимость, поскольку остальные приходится отбраковывать или дорабатывать.

В испытаниях HBM3E от CXMT по быстродействию оказалась ближе к HBM3 предыдущего поколения от SK Hynix, чем к её нынешней HBM3E. Компания разослала клиентам стандартную и доработанную версии; изменения во второй должны увеличить выход годных чипов. Тем временем Samsung уже поставляет HBM4 и отправляет клиентам образцы HBM4E — то есть в коммерческом производстве CXMT отстаёт как минимум на поколение.

И всё же это выход крупного производителя в новый для него сегмент: CXMT занимает около 10% мирового рынка обычной DRAM по выручке и считается четвёртым поставщиком. В сентябре DOK писал о серийном выпуске её мобильной LPDDR5X; теперь компания пытается освоить более сложную многослойную память. Образцы и план ограниченного выпуска ещё не означают ни массового производства, ни технологического паритета с тремя лидерами рынка.