Samsung и SK Hynix модернизируют заводы флеш-памяти NAND в Китае. Обе компании подтвердили Reuters, что работы уже идут в консультации с властями США, но не раскрыли производственные параметры: конкретные цели — 286 слоёв для Samsung и не менее 240 для SK Hynix — агентство узнало от четырёх осведомлённых источников.

Завод Samsung в Сиане сейчас выпускает около 40% всей NAND компании и работает примерно с 200 слоями. По словам одного из источников, в декабре 2026 года Samsung рассчитывает получить первые 5 тысяч пластин с 286-слойной памятью в месяц, а к декабрю 2027-го — 40 тысяч. Компания подчёркивает, что обновляет технологию без расширения мощности и строительства новых корпусов. SK Hynix тем временем переводит площадку в Даляне со 192 слоёв на 240 и более; возможный переход к разработке 300-слойной памяти потребует отдельного согласования.

Чем больше слоёв удаётся уложить в кристалл NAND, тем выше плотность хранения и ниже стоимость памяти для смартфонов, компьютеров и твердотельных накопителей. Китайская YMTC уже заняла 38,5% местного рынка во втором квартале против 33,5% у Samsung и 17% у SK Hynix, а небольшими партиями выпускает 294-слойные чипы. Корейские производители не просто поддерживают старые линии — они пытаются сократить технологическое отставание китайских заводов от собственных площадок в Южной Корее.

Граница разрешённого при этом остаётся неясной. Американские правила требуют ежегодных лицензий на установку оборудования из США, а Министерство торговли в 2025 году заявляло, что намерено разрешать эксплуатацию действующих фабрик, но не расширение мощности и не обновление технологии. Reuters не установило, какие именно лицензии уже выданы; Samsung говорит о соблюдении ограничений, а SK Hynix — о консультациях с Вашингтоном. Получается не отмена экспортного контроля, а практическая проверка того, где власти проведут линию между поддержанием фабрики и её технологическим обновлением.